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トランスコンダクタンス

トランスコンダクタンスは、増幅器やトランジスタなどの電子デバイスの特性を示す重要なパラメータの一つです。
トランスコンダクタンスは、入力電圧の変化に対する出力電流の変化の割合を示し、デバイスの増幅能力を表します。
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)のトランスコンダクタンス は次のように定義されます。

Gm=ΔId/ΔVgs

トランジスタのゲート-ソース間電圧の変化に対する、ドレイン-ソース間に流れる電流増加割合となります。

特定の動作点(バイアス点)で計算されることが一般的です。
増幅器の増幅率や特性を決定する上で重要な役割を果たします。
トランスコンダクタンスが大きいほど、デバイスの増幅能力が高くなります。
増幅器やアナログ回路の設計では、トランスコンダクタンスを適切に制御することが重要です。



シーモスの回路設計CAD通信講座における位置づけ

CMOSオペアンプ回路設計CAD講座では設計するにあたり、トランスコンダクタンスgmを計算して利用します。