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イオン注入

イオン注入は、半導体製造プロセスに利用される技術です。

イオン化された不純物粒子を、半導体(シリコン)の表面に高速で加速して注入する手法(工程)です。
これにより半導体の特性を変化させることができ、素子の性能を向上させたりすることができます。

例えばトランジスタのチャネル領域に不純物イオンを注入することで、同じ大きさのトランジスタでも異なる性質に変化させることができます。
それらを複数別々に行うことで、電気的特性の異なる数種類のトランジスタを同一のシリコン基板上で使い分けることもでき、回路としての性能が向上します。





シーモスの回路設計CAD通信講座における位置づけ

シーモスの通信講座はトランジスタレベルでの設計をするため、イオン注入によって変化する電気的特性を特定する素子モデルファイルを用意しており、講座で使用しています。
素子モデルファイルは回路設計からは逸脱する内容なので詳述はしませんが、アナログ回路設計CAD通信講座では簡単に説明もしています。




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